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去耦电容和旁路电容的区别
发布时间：2022-07-22 00:00:00 浏览：2220次
去耦电容和旁路电容的区别与联系
在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。
对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling，也称退耦）电容是把输出信号的干扰作为滤除对象。
在供电电源和地之间也经常连接去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。
旁路电容不是理论概念，而是一个经常使用的实用方法，在50--60年代，这个词也就有它特有的含义，现在已不多用。电子管或者晶体管是需要偏置的，就是决定工作点的直流供电条件。例如电子管的栅极相对于阴极往往要求加有负压，为了在一个直流电源下工作，就在阴极对地串接一个电阻，利用板流形成阴极的对地正电位，而栅极直流接地，这种偏置技术叫做“自偏”，但是对(交流)信号而言，这同时又是一个负反�。讼飧鲇跋欤驮谡飧龅缱枭喜⒘桓鲎愎淮蟮牡闳荩饩徒信月返缛�。后来也有的资料把它引申使用于类似情况。 旁路电容是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦电容是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。去耦电容相当于电池，避免由于电流的突变而使电压下降，相当于滤纹波。具体容值可以根据电流的大小、期望的纹波大小、作用时间的大小来计算。去耦电容一般都很大，对更高频率的噪声，基本无效。旁路电容就是针对高频来的，也就是利用了电容的频率阻抗特性。只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较�。菪痴衿德室话闶�0.1u，0.01u等?，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。
去耦电容（decoupling）也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声（c对高频阻力�。褐罣ND）。
2019-1-5 13:17 上传去耦电容的充、放电作用使集成电路得到的供电电压比较平稳，减小了电压振荡现象；集成电路可以就近在各自的去耦电容器上吸收或释放电流，不必通过电源线从较远的电源中取得电流，因此不会影响集成电路的速度；同时去耦电容器为集成电路的瞬态变化电流提供了各自就近的高频通道，从而大大减小了向外的辐射噪声并且相互之间没有公共阻抗，因此抑制了共阻抗耦合。
由于去耦电容器在高频时的阻抗将会减小到其自谐振频率，因而可以有效地除去信号线中的高频噪声，同时相对于低频来说，对能量没有影响，所以可在每一个集成电路的电源地脚之间加一个大小合适的去耦电容器。在选择去耦电容器类型时，应考虑哪些低电感的高频电容器。如高频性能好的多层陶瓷电容器或者独石电容器。
数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压，会影响前级的正常工作。这就是耦合。对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。?
数字电路中典型的去耦电容值是0.1?F。这个电容的分布电感的典型值是5?H。?0.1?F的去耦电容有5?H的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以?下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。?1?F、10?F的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。?每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10?F左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用?钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1?F，100MHz取0.01?。
去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。
一般来说，容量为uf级的电容，象电解电容或钽电容，他的电感较大，谐振频率较�。缘推敌藕磐ü虾茫愿咂敌藕牛硐殖鼋锨康牡绺行裕杩菇洗螅保蟮缛莼箍梢云鸬骄植康绾沙氐淖饔茫梢约跎倬植康母扇磐ü缭瘩詈铣鋈�;容量为0.001~0.1uf的电容，一般为陶瓷电容或云母电容，电感�。痴衿德矢撸愿咂敌藕诺淖杩菇闲。梢晕咂蹈扇判藕盘峁┮惶跖月罚跎偻饨缍愿镁植康鸟詈细扇�
旁路是把前级或电源携带的高频杂波或信号滤除;去藕是为保正输出端的稳定输出(主要是针对器件的工作)而设的“小水塘”，在其他大电流工作时保证电源的波动范围不会影响该电路的工作;补充一点就是所谓的藕合：是在前后级间传递信号而不互相影响各级静态工作点的元件
有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。
摘引自伦德全《电路板级的电磁兼容设计》一文，该论文对噪声耦和路径、去耦电容和旁路电容的使用都讲得不错。请参阅。
从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻(特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹)，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。
去耦电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。
旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较�。菪痴衿德室话闶�0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。
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