行业动态
来源：安森美 作者：安森美
安森美 EliteSiC SPM 31 智能功率�？� (IPM) 有助于实现
能效和性能领先行业的更紧凑变频电机驱动
中国上海 - 2025年3 月 18日--安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率�？椋↖PM）系列。与使用第7代场截止（FS7） IGBT技术相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超紧凑的封装尺寸中提供超高的能效和功率密度，从而实现比市场上其他领先解决方案更低的整体系统成本。这些IPM改进了热性能、降低了功耗，支持快速开关速度，非常适用于三相变频驱动应用，如AI数据中心、热泵、商用暖通空调（HVAC）系统、伺服电机、机器人、变频驱动器（VFD）以及工业泵和风机等应用中的电子换向（EC）风机。
EliteSiC SPM 31 IPM 与安森美 IGBT SPM 31 IPM 产品组合（涵盖 15A 至 35A 的低电流）形成互补，提供从 40A 到 70A 的多种额定电流。安森美目前以紧凑的封装提供业界领先的广泛可扩展、灵活的集成功率�？榻饩龇桨�。
随着电气化和人工智能应用的增长，尤其是更多AI数据中心的建设增加了能源需求，降低该领域应用的能耗变得愈发重要。在这个向低碳排放世界转型的过程中，能够高效转换电能的功率半导体发挥着关键作用。
随着数据中心的数量和规模不断增长，预计对 EC 风机的需求也将随之增加。这些冷却风机可为数据中心的所有设备维持理想的运行环境，对于准确、无误的数据传送至关重要。 SiC IPM 可确保 EC 风机以更高能效可靠运行。
全集成的 EliteSiC SPM 31 IPM 包括一个独立的上桥栅极驱动器、低压集成电路 (LVIC)、六个 EliteSiC MOSFET 和一个温度传感器（电压温度传感器 (VTS) 或热敏电阻）。 该�？榛谝到缌煜鹊� M3 SiC 技术，缩小了裸片尺寸，并利用 SPM 31 封装提高短路耐受时间 (SCWT) ，从而针对硬开关应用进行了优化，适用于工业用变频电机驱动。MOSFET 采用三相桥式结构，下桥臂采用独立源极连接，充分提高了选择控制算法的灵活性。
此外，EliteSiC SPM 31 IPM 还包括以下优势：
低损耗、额定抗短路能力的 M3 EliteSiC MOSFET，可防止设备和元件发生灾难性故障，如电击或火灾。
内置欠压保护（UVP），防止电压过低时损坏设备。
作为 FS7 IGBT SPM 31 的对等产品，客户可以在使用相同 PCB 板的同时选择不同的额定电流。
获得UL认证，符合国家和国际安全标准。
单接地电源可提供更好的安全性、设备保护和降噪。
简化设计并缩小客户电路板尺寸，这得益于：
栅极驱动器控制和保护
内置自举二极管（BSD）和自举电阻（BSR）
为上桥栅极升压驱动提供内部升压二极管
集成温度传感器（由 LVIC 和/或热敏电阻输出 VTS）
内置高速高压集成电路
关于安森美（onsemi）
安森美（onsemi, 纳斯达克股票代号：ON）致力推动颠覆性创新，打造更美好的未来。公司关注汽车和工业终端市场的大趋势，加速推动汽车功能电子化和汽车安全、可持续电网、工业自动化以及5G和云基础设施等细分领域的变革创新。安森美提供高度差异化的创新产品组合以及智能电源和智能感知技术，以解决全球最复杂的挑战，引领创造更安全、更清洁、更智能的世界。安森美位列《财富》美国500强，也被纳入纳斯达克100指数和标普500指数。
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