行业动态
来源：安森美 作者：Brandon Becker 电源解决方案事业部 (PSG) 营销经理
简介
电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。
Properties
特性 Si 4H-SiC GaN
Energy(eV) Bandgap
禁带能量（eV） 1.12 3.26 3.50
Electron Mobility
(cm2/Vs)
电子迁移率(cm2/Vs) 1400 900 1250
Hole Mobility
(cm2/Vs)
空穴迁移率(cm2/Vs) 600 100 200
Breakdown Field
(MV/cm)
击穿电场(MV/cm) 0.3 2.0 3.5
Thermal Conductivity
(w/cm°c)
导热性(w/cm°c) 1.5 4.9 1.3
Maximum Junction
Temperature (°C)
最高结温 (°C) 150 600 400
众多终端产品制造商已选择碳化硅技术替代传统硅技术，基于双极结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等器件开发电源系统。这些器件因各自特性（优缺点不同）而被应用于不同场景。
然而，安森美（onsemi）的EliteSiC 共源共栅结型场效应晶体管（Cascode JFET）器件（图2）将这一技术推向了新高度。该器件基于独特的"共源共栅（Cascode）"电路配置——将常开型碳化硅JFET器件与硅MOSFET共同封装，形成一个集成化的常闭型碳化硅FET器件。我们的碳化硅Cascode JFET能够轻松、灵活地替代IGBT、超结MOSFET以及碳化硅MOSFET等任何器件类型（图3）。
本文将深入探讨安森美EliteSiC Cascode JFET相较于同类碳化硅MOSFET的技术优势。
与硅器件相比，碳化硅Cascode JFET具备多项优势。碳化硅作为宽禁带材料，具有更高的击穿电压特性，这意味着其器件可采用更薄的结构支持更高的电压。此外，碳化硅相较于硅的其他优势还包括：
对于给定的电压与电阻等级，碳化硅可实现更高的工作频率，从而缩小元器件尺寸，显著降低系统整体尺寸与成本。
在较高电压等级（1200V 或更高）应用中，碳化硅可以较低功率损耗实现高频开关。 而硅器件在此电压范围内几乎无法胜任。
在任何给定的封装中，与硅相比，碳化硅器件具备更低的导通电阻（RDS(ON)）和开关损耗。
在与硅器件相同的设计中，碳化硅能提供更高的效率和更出色的散热性能，甚至更高的系统额定功率。
碳化硅Cascode JFET： 无缝升级替代硅基方案，卓越性能全面释放
这些优势也体现在安森美 EliteSiC Cascode JFET 的性能中，这是一种更新且功能更强大的器件，针对多种功率应用进行了优化。
与硅基栅极驱动器兼容： 实现向碳化硅的无缝过渡
首先，碳化硅Cascode JFET 的结构允许使用标准硅基栅极驱动器。 这简化了从硅基到碳化硅设计的过渡，提供了更大的设计灵活性。它们与各种类型的栅极驱动器兼容，包括为 IGBT、硅超结 MOSFET 和 碳化硅MOSFET 设计的驱动器。
在给定封装中，拥有业内领先的漏源导通电阻RDS(ON)，可最大程度地提高系统效率。
更低的电容允许更快的开关速度，因此可以实现更高的工作频率；这进一步减小了如电感器和电容器等大体积无源元件的尺寸。
与传统应用于这一细分领域的硅基IGBT相比，碳化硅Cascode JFET在更高电压等级（1200V或以上）下能够实现更高的工作频率，而硅基IGBT通常速度较慢，仅能在较低频率下使用，因此开关损耗较高。
安森美EliteSiC Cascode JFET器件在给定RDS(ON) 的条件下，实现更小的裸片尺寸，并减轻了碳化硅 MOSFET常见的栅极氧化层可靠性问题。
SiC MOSFET vs. 安森美SiC Cascode JFET:深入对比
让我们花一点时间来更深入地了解SiC MOSFET 与 安森美SiC JFET 技术之间的差异。 从下面的图 3 中我们可以看到，SiCMOSFET 技术不同于安森美的集成式SiCCascode JFET——这是精心设计的结果。安森美设计的SiCJFET去掉了碳化硅MOSFET 的栅极氧化层，这不仅消除了沟道电阻，还让裸片尺寸更为紧凑。
安森美碳化硅 JFET 较小的裸片尺寸成为其差异化优势的一个关键所在，"RDS(ON) x A"（RdsA）品质因数 (FOM) 得以最佳体现，如图 4 所示。这意味着对于给定的芯片尺寸，SiCJFET 具有更低的导通电阻额定值，或者换言之，在相同的 RDS(ON) 下，安森美SiC JFET 的裸片尺寸更小。安森美在 RdsA FOM 方面的卓越表现树立了行业领先地位，体现在以相对较小的行业标准封装（如 TOLL 和 D2PAK）提供的超低额定电阻产品。
碳化硅MOS 沟道电阻高，导致电子迁移率较低。
Vth 在栅极偏置较高的情况下会发生漂移，这意味着栅极到源极的电压驱动范围受到限制。
体二极管具有较高的拐点电压，因此需要同步整流。
然而，使用安森美的SiCJFET，上述缺陷得以根本解决，因为：
SiCJFET 结构的器件上摒弃 MOS（金属氧化物）结构，因此器件更加可靠。
在相同芯片面积下，漏极至源极电阻更低。
电容更低，这意味着更快的开关转换和更高的频率。
为什么选择安森美EliteSiC Cascode JFET？
尽管市场上可供选择的SiC功率半导体种类繁多，但在某些特定应用中，一些器件的表现确实比其他器件更为出色。安森美的集成式SiC Cascode JFET 便是其中的佼佼者，因其低 RDS(ON)、低输出电容和高可靠性等独特优势，能够提供卓越的性能。此外，碳化硅 Cascode JFET架构使用标准硅基栅极驱动器，简化了从硅到碳化硅的过渡过程，可在现有设计中实施。 因此，它为从硅到碳化硅的过渡提供了灵活性--实施简单，同时得益于SiC技术而提供卓越的性能。
访问我们的 EliteSiC JFET 产品页面，了解我们的产品。
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SiC Cascode JFET
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